特許
J-GLOBAL ID：200903002187033975
半導体分布帰還型レーザ装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283837
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 広い温度範囲において単一波長発振可能な半導体分布帰還型レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体分布帰還型レーザ装置の多重量子井戸活性層8においてInPと格子整合した厚さ6nmの第1のInGaAsP井戸層A(λg =1.40μm)とInPと格子整合した厚さ8nmの第2のInGaAsP井戸層B(λg =1.40μm)が5つづつ層方向に交互に配置されており、第1の井戸層Aと第2の井戸層Bの間にはInPと格子整合した厚さ10nmのInGaAsP障壁層(λg =1.05μm)が配置されている。この様な構成にすることにより、利得を有する従来よりも波長範囲幅が広くなり、従来よりも広い温度範囲において単一波長発振可能となる。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された多層構造とを備え、レーザ光を放射する半導体レーザであって、周期的に屈折率もしくは利得を共振器方向に周期的に変化させる回折格子を備え、該多層構造は少なくとも多重量子井戸構造からなる活性層を含んでおり、該活性層は少なくとも2つの異なる基底量子準位レベルを有する量子井戸から形成されており、広い波長範囲において高い利得を有し、該回折格子により決定されるブラッグ波長が該波長範囲内に設定されており、周囲温度が変化してもブラッグ波長で発振可能なことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
