特許
J-GLOBAL ID：200903002187496657
粒子線照射方法及び粒子線照射装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026564
公開番号（公開出願番号）：特開2001-212253
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：
【要約】【課題】3次元的照射領域にわたって均一で精度良く照射を簡単に行うことを可能にすることにある。【解決手段】粒子線スポットビームのエネルギーを複数に切替えるレンジシフタ7と、前記粒子線の照射位置を切替えるスキャニング磁石3a,3bとを備えて、前記粒子線スポットビームのエネルギーと位置を制御して被照射部位に照射を行う粒子線照射装置において、スポットビーム径を複数に切替え可能な散乱体装置9を設ける。
請求項（抜粋）：
粒子線スポットビームのエネルギーと位置を制御して被照射部位に照射を行う粒子線照射方法において、スポットビーム径を複数に切替え可能なビーム径調整手段によりビーム径を制御して照射を行うことを特徴とする粒子線照射方法。
Fターム (13件)：
4C082AC04
, 4C082AE01
, 4C082AG02
, 4C082AG12
, 4C082AG27
, 4C082AG42
, 4C082AJ02
, 4C082AL06
, 4C082AN02
, 4C082AP02
, 4C082AP03
, 4C082AP11
, 4C082AR12
