特許

J-GLOBAL ID：200903002207938309

II-VI族化合物半導体結晶の成長方法

発明者： 並川 靖生
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 萩原 亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314978
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147800
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に、ボイドやクラックのない結晶性に優れたII-VI族化合物半導体結晶を成長する方法を提供しようとするものである。【解決手段】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、種結晶に対して前記多結晶原料と反対側に位置する成長室内の最低温部を設け、多結晶原料位置における結晶成長を律速する成分の平衡分圧をP(S) 、種結晶位置における平衡分圧をP(C) 、最低温部における平衡分圧をP(D) とし、多結晶原料と種結晶との距離をL1 、多結晶原料と種結晶との距離をL2 種結晶と最低温部との距離をL2 とするときに、下記式の関係を満たすII-VI族化合物半導体結晶の成長方法である。〔P(S) -P(C) 〕/L1 ≧〔P(C) -P(D) 〕/L2

請求項（抜粋）：

成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶に対して前記多結晶原料と反対側の位置に前記成長室内の最低温度部を設け、前記多結晶原料位置における結晶成長を律速する成分の平衡分圧をP(S) 、前記種結晶位置における前記平衡分圧をP(C) 、前記最低温度部における前記平衡分圧をP(D) とし、前記多結晶原料と前記種結晶又は前記成長結晶との距離をL1 、前記種結晶又は前記成長結晶と前記最低温度部との距離をL2 とするときに、下記式の関係を満たすことを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法。〔P(S) -P(C) 〕/L1 ≧〔P(C) -P(D) 〕/L2

IPC (3件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/36

FI (3件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162487   出願人：石田明広, 藤安洋, 浜松ホトニクス株式会社