特許
J-GLOBAL ID:200903002271872478

電解質・電極接合体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 千葉 剛宏 ,  宮寺 利幸 ,  佐藤 辰彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-382568
公開番号(公開出願番号):特開2005-149795
出願日: 2003年11月12日
公開日(公表日): 2005年06月09日
要約:
【課題】電解質・電極接合体における発電性能を向上させる。【解決手段】電解質16は、結晶がc軸に沿って配向したLa9.33Si6O26の単結晶からなり、且つ該c軸は、電解質16の厚み方向である。この電解質16においては、酸化物イオンがその厚み方向に沿って優先的に移動する。すなわち、酸化物イオン伝導が異方性を示す。そして、電解質16と、アノード側電極12及びカソード側電極14との間には、酸化物イオン伝導が等方性を示し、且つ電解質16に比して酸化物イオン伝導度が小さいYDCからなる等方性伝導層20a、20bが設けられている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
アノード側電極とカソード側電極との間に電解質が配設される電解質・電極接合体において、 前記電解質は、単結晶で存在するとき、その結晶内に酸化物イオンが移動する面又は方向を有することによって酸化物イオン伝導が異方性を示す物質からなり、 前記電解質と、前記アノード側電極又は前記カソード側電極の少なくともいずれか一方との間に、酸化物イオン伝導が等方性を示す等方性伝導層が設けられていることを特徴とする電解質・電極接合体。
IPC (1件):
H01M8/02
FI (2件):
H01M8/02 E ,  H01M8/02 K
Fターム (3件):
5H026AA06 ,  5H026EE13 ,  5H026HH03
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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