特許
J-GLOBAL ID：200903002288626047
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221827
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062990
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】エピタキシャル成長によって絶縁性膜上に形成された化合物半導体結晶を利用した半導体装置及びその製造方法を提供すること。【構成】絶縁膜上に設けられた化合物半導体結晶を電極として用いた半導体装置。そのような化合物半導体結晶を活性領域とする一対のトランジスタをもつ半導体装置。そのような化合物半導体結晶を下地とした積層結晶を用いた半導体装置。これらの半導体は縦方向と横方向とのエピタキシャル成長を組み合わせて製造する。【効果】絶縁性膜上の化合物半導体結晶に通常多く含まれる結晶欠陥に起因する問題を回避でき、半導体デバイスの寄生容量の低減等の効果がある。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた化合物半導体のエピタキシャル成長層とを有し、該エピタキシャル成長層を電極とする半導体デバイスを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/72
, H01L 29/80 B
