研究者
J-GLOBAL ID：200901054803270709   更新日: 2024年01月17日

中川 清和

ナカガワ キヨカズ | Nakagawa Kiyokazu
ホームページURL (1件)： http://www.inorg.yamanashi.ac.jp/ccst/laboratories/nakagawa-lab/main.htm
研究分野 (3件)： 電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (14件)： Germanium ,  Silicon ,  Device ,  Heterostructure ,  ゲルマニウム ,  シリコン ,  デバイス ,  ヘテロ構造 ,  Formation of Si-related semiconductor heterostructure and its application to devices ,  Semiconductor ,  4族半導体へテロ構造形成と素子応用 ,  半導体 ,  電子デバイス・電子機器 ,  応用物性・結晶工学
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • Formation of SiGe Heterostructure and its Application to Devices
  • SiGeヘテロ構造形成と素子応用
  • Research on formation of Si-related hetero-structure and its application to devices
  • Research on formation of Si-related heterostructure and its application to devices
MISC (127件)：
もっと見る
特許 (3件)：
  • 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  • 歪み緩和膜の製造方法、および、歪み緩和膜を有する積層体
  • 半導体表面の研磨法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
講演・口頭発表等 (107件)：
  • 選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性
    (第56回応用物理学関係連合講演会 2009)
  • As+イオン注入したSi-C混晶半導体薄膜のRTA処理による組織変化
    (第56回応用物理学関係連合講演会 2009)
  • μ波プラズマ加熱による金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術2
    (第56回応用物理学関係連合講演会 2009)
  • マイクロ波プラズマ加熱による非晶質酸化チタン薄膜の結晶化
    (第56回応用物理学関係連合講演会 2009)
  • メタン凝縮層の低速電子線衝撃による炭素薄膜の極低温合成(II)
    (第56回応用物理学関係連合講演会 2009)
もっと見る
学歴 (4件)：
  • - 1981 東京大学大学院
  • - 1981 東京大学
  • - 1976 東京大学
  • - 1976 東京大学
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東京大学)
経歴 (7件)：
  • 2000/04 - 山梨大学工学部教授
  • 1989 - 2000 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
  • 1981 - 1989 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
  • 1981/04 - 日立製作所中央研究所入所
  • Senior Researcher
全件表示
委員歴 (2件)：
  • 2008/04 - 2010/03 独立行政法人大学評価・学位授与機構 学位審査会専門委員
  • 2008/04 - 2010/03 応用物理学会 理事
受賞 (1件)：
  • 1992 - 新機能素子研究開発協会研究開発功績賞受賞
所属学会 (1件)：
応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM