特許
J-GLOBAL ID：200903002292842749
車載イグナイタ、絶縁ゲート半導体装置及びエンジンシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310707
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115637
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 電流制限機能を有する車載イグナイタ用IGBTにおいて、電流制限値のばらつきが小さく、かつイグニッションコイルの小型化を図る。【解決手段】 主IGBT1のコレクタ端子9とゲート電極11の間に振動抑制用の電流供給回路15を備えたものにおいて,この電流供給回路15を、抵抗151とダイオード152の直列体で構成し、その直列接続点とエミッタ端子18との間にバイパス用のMOSFET171を接続する。このMOSFET171は、入力端子2の信号を反転させるインバータ回路16により駆動する。【効果】 電流供給回路に、温度特性のばらつく半導体スイッチング素子を用いる必要が無く、回路の容量・寸法を小さくできる。
請求項（抜粋）：
直流電源に直列接続されたイグニッションコイルの一次側と絶縁ゲート型半導体装置と、イグニッションコイルの二次側に接続され,前記半導体装置の開閉により前記二次側に発生する高電圧を印加される点火プラグと、前記半導体装置の制御電極の電位を制御して前記半導体装置の主電流を所定値以内に制限する電流制限回路と、前記半導体装置の一対の主端子のうち電位の高い方の主端子から前記制御電極に電流を供給する電流供給回路とを備えた車載イグナイタにおいて、前記電流供給回路は、少なくとも抵抗を含み、前記電位の高い方の主端子を半導体スイッチング素子を介することなく前記制御端子に電位的に接続するように構成したことを特徴とする車載イグナイタ。
IPC (8件)：
F02P 3/04 301
, F02P 3/04
, F02P 13/00 303
, F02P 15/00 303
, F02P 15/00
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78 655
, H01L 29/78 657
F02P 3/04 301 H
, F02P 3/04 301 Z
, F02P 13/00 303 B
, F02P 15/00 303 G
, F02P 15/00 303 H
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 655 Z
, H01L 29/78 657 G
3G019BA01
, 3G019BA05
, 3G019DA10
, 3G019FA00
, 3G019FA04
, 3G019FA05
, 3G019FA12
, 3G019KA23
, 3G019KC08
