特許

J-GLOBAL ID：200903002301974599

半導体装置の製造方法

発明者： 廣島 雅人 ,  須向 一行 ,  南條 淳 ,  長谷川 昇雄 ,  内山 博之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203139
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 フォトマスクにより半導体ウエハに転写されるパターンの忠実度を向上させる。【解決手段】 複数本のライン状の光透過パターン3aが形成されたフォトマスクにより露光処理を行った後、上記光透過パターン3aに対して交差する方向に延び、互いに隣接する一方に位相シフタ5を配置した複数本のライン状の光透過パターン3bが形成されたフォトマスクにより露光処理を行うことで、双方の光透過パターン3a,3bに囲まれた遮光領域にあたるレジスト膜にホールパターンを形成するようにした。

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウエハ上にレジスト膜を堆積する工程と、(b)前記レジスト膜に対して2枚のマスクを重ね合わせ露光する露光工程と、(c)前記露光工程後、前記レジスト膜に現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所望のレジストパターンを転写する現像工程とを有し、前記露光工程は、(b1)前記レジスト膜に対して、第1方向に延びる第1パターンを第1距離だけ隔てて複数配置した第1マスクを用いて第1露光処理を行う工程と、(b2)前記レジスト膜に対して、前記第1方向に対して交差する第2方向に延びる第2パターンを前記第1距離よりも狭い第2距離だけ隔てて複数配置し、かつ、互いに隣接する前記第2パターンの一方に位相シフタを設けた第2マスクを用いて第2露光処理を行う工程とを有し、前記所望のレジストパターンは、前記レジスト膜おいて、前記第1パターンおよび第2パターンに対応する第1レジスト部が残され、かつ、前記第1パターンおよび第2パターンに囲まれた領域に対応する第2レジスト部が除去されてなるパターンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (24件)：

5F046AA13 ,  5F046AA20 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083BS00 ,  5F083ER22 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA20 ,  5F083LA29 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR29

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181300   出願人：三菱電機株式会社