特許

J-GLOBAL ID：200903002307200013

ガラス基板及びガラス基板の平坦化方法

発明者： 竹内 正樹 ,  柴野 由紀夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-316835
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【解決手段】 ガラス基板の表面に対して局所的にプラズマエッチングを施すことによって、基板の表面が平坦化されたことを特徴とするガラス基板。【効果】 本発明によれば、IC等の製造において重要な光リソグラフィ法で使用されるフォトマスク用シリカガラス系基板、マイクロエレクトロニクスやマイクロ分析等の分野で利用が期待されるシリカガラス系基板、シリカガラス系チップなどにおいて、高平坦度のガラス基板、特に基板表面の面積1cm2あたり0.04nm以上1.3nm以下の平坦度を有するガラス基板を提供することができる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の表面に対して局所的にプラズマエッチングを施すことによって基板の表面が平坦化されたことを特徴とするガラス基板。

IPC (3件)：

C03C 15/00 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

C03C 15/00 A ,  G03F 1/14 B ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (9件)：

2H095BB17 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  4G059AA08 ,  4G059AB17 ,  4G059AC03 ,  4G059BB01 ,  4G059BB13 ,  4G059BB14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光導波路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-104526   出願人：沖電気工業株式会社
• プラズマエッチング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049863   出願人：スピードファム株式会社
• 特許第3627805号