特許
J-GLOBAL ID：200903002315524170
パターン状の位相差制御層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170268
公開番号（公開出願番号）：特開2005-004124
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】フォトリソグラフイー法を適用してパターン状の位相差制御層を形成する場合に得られる位相差量が、ドライエッチングの前後で変化することを抑制でき、位相差制御層を重ねる際にも、直接位相差制御層を重ねることが可能なパターン状の位相差制御層の形成方法を提供する。【解決手段】基板2上に配向膜5、重合性液晶組成物の層6を積層し、不活性雰囲気中で重合させて重合硬化物の層6’とすることにより、層6’の耐熱性、耐薬品性が向上し、課題を解決することができた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表示予定区域よりも大きい基板上に、重合性液晶化合物を含む重合性液晶組成物の層を前記表示予定区域よりも広い面積に成膜し、成膜された前記層の重合性液晶組成物を配向させ、不活性ガス雰囲気中で重合させることにより液晶規則性を有する重合硬化物の被膜を形成し、前記被膜上の表示予定区域にエッチング用のレジストパターンを形成し、形成された前記レジストパターンを利用してエッチングを行なって、前記表示予定区域以外の前記被膜を除去することからなるパターン状の位相差制御層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
2H049BA06
, 2H049BA42
, 2H049BB01
, 2H049BB22
, 2H049BB62
, 2H049BC04
, 2H049BC08
, 2H049BC22
, 2H091FA11Y
, 2H091FA35Y
, 2H091FB02
, 2H091FC12
, 2H091FC23
, 2H091FC26
, 2H091FD04
, 2H091GA01
, 2H091GA16
, 2H091LA30
