特許
J-GLOBAL ID：200903002342906964

高密度インダクタおよびその製造方法

発明者：
庄司 茂

庄司 茂 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (11件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-043829
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253684
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】高アスペクト比と小型化とを達成することができる高密度インダクタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】渦巻形状からなるコイルを形成した後、このコイルをコア部材内に封止するとともに、前記コイルへの導通をなす端子電極を前記コア部材の外側に形成するようにした高密度インダクタの製造方法である。ここで前記コイルの形成は、薄膜形成プロセスによって配線層を形成した後、当該配線層の上層に前記薄膜形成プロセスによって新たな配線層を形成し、これら配線層の積み重ねを繰り返すことで行うようにした。このような製造方法を用いれば、アスペクト比の高いコイルを形成することが可能になる。さらにこのコイルだけをコア部材の内部に収めるようにしたのでインダクタ自体の小型化が達成できる。【選択図】 図1b
請求項（抜粋）：
渦巻形状からなるコイルと、このコイルに発生する磁力線の経路に倣うよう配置されるコア部材とを備えた高密度インダクタであって、前記コイルはその厚み方向に複数の配線層を積み重ねた形態からなり、これら配線層を薄膜形成プロセスにて形成したことを特徴とする高密度インダクタ。
IPC (4件)：
H01F37/00 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01F41/04
FI (4件)：
H01F37/00 D ,  H01F17/00 B ,  H01F17/04 A ,  H01F41/04 C
Fターム (4件)：
5E062DD01 ,  5E070AA01 ,  5E070AB03 ,  5E070CB12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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