特許

J-GLOBAL ID：200903002362164107

窒化物半導体素子

発明者： 三谷 友次 ,  中河 義典
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340509
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 安定した低い動作電圧で高い出力が得られる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 p型コンタクト層を含む1又は多層のp型窒化物半導体層と1又は多層のn型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、p型コンタクト層は、互いに組成の異なる第1と第2の窒化物半導体層が交互に積層された超格子構造を有し、2つの窒化物半導体層のうち少なくとも第1の窒化物半導体層はInを含んでいる。

請求項（抜粋）：

p型コンタクト層を含む1又は多層のp型窒化物半導体層と1又は多層のn型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、上記p型コンタクト層は、互いに組成の異なる第1と第2の窒化物半導体層とを含む層が順次積層された超格子構造を有し、上記2つの窒化物半導体層のうち少なくとも第1の窒化物半導体層はInを含んでいることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-006758   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317844   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝