特許
J-GLOBAL ID：200903040792896410
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317844
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330629
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 ダブルへテロ構造の窒化物半導体発光素子のVfをさらに低下させることにより発光効率に優れた素子を提供する。【構成】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光する活性層を有し、p型窒化物半導体層表面に正電極が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層は正電極と接する側から順にアクセプター不純物濃度の高い第一のp型窒化物半導体層と、第一のp型窒化物半導体層よりもアクセプター不純物濃度の低い第二のp型窒化物半導体層とを含むことを特徴とする
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光する活性層を有し、p型窒化物半導体層表面に正電極が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層は正電極と接する側から順にアクセプター不純物濃度の高い第一のp型窒化物半導体層と、第一のp型窒化物半導体層よりもアクセプター不純物濃度の低い第二のp型窒化物半導体層とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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