特許

J-GLOBAL ID：200903002374104223

GaAsベースの半導体レーザの製造方法

発明者： ウトパル カマー チャクラバーティ ,  ウィリアム スコット ホブソン ,  ファン レン ,  メリンダ ラモント シュノーズ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206669
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075020
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 パッシベーション層を形成するプロセスを有するGaAsベースの半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 へき開面上に、窒化シリコン層(SiNx )の誘電体層を堆積する。この誘電体層の堆積は、電子サイクロトロン共鳴(ECR)化学気相堆積である。この堆積方法は、損傷が少なくH2S プラズマ処理表面を等方的にカプセル化する窒化シリコンフィルムを形成できる。この誘電体層を堆積した後、レーザデバイスは、光熱アニールの処理(不活性気体(例えば、Ar)内で約200 ゚Cで30分間の熱処理)を行う。980nmレーザをパッシベーション処理した後、従来のレーザストレス試験(100 ゚Cで150mAの電流を140時間掛ける)を課した。本発明によるほとんど全てのレーザ装置は、このストレス試験に合格した。

請求項（抜粋）：

へき開されたレーザファセットを有するGaAsベースの半導体レーザ(10)の製造方法において、a)GaとAsを含有する多層半導体構造(12-19)をその上に有するGaAs基板(11)を用意するステップと、b)このGaAs基板(11)をへき開して、へき開表面を有するレーザバーを形成するステップと、c)前記レーザバーを真空堆積チェンバー内に配置し、少なくとも1つのへき開表面上に誘電体層を堆積するステップと、d)前記レーザバーを複数のレーザチップに分離するステップと、からなり、前記c)のステップの誘電体層を堆積する際に、堆積チェンバー内でへき開面をH2S のプラズマにさらして、レーザバーを大気に曝すことなく誘電体層をへき開面に堆積することを特徴とするGaAsベースの半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-088691
  
• 半導体基板表面保護膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-039144   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-305489