特許

J-GLOBAL ID：200903002377531351

半導体装置の製造方法

発明者： 池田 晴美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-277189
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088323
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】レーザアニールを行う前に、パターン上にレーザ光を全反射する反射パターンを形成することで、レーザアニールの際のパターン損傷、消失等の発生防止を可能にする。【解決手段】パターン(ゲート電極)13が形成された半導体基板11にレーザ光Lを照射する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記レーザ光Lを照射する前に、前記パターン13上に絶縁膜19を形成する工程と、前記パターン13上の前記絶縁膜19との界面において前記レーザ光Lを全反射するもので傾斜面を有する反射パターン21を形成する工程を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パターンが形成された半導体基板にレーザ光を照射する工程を備えた半導体装置の製造方法において、 前記レーザ光を照射する前に、前記パターン上に絶縁膜を形成する工程と、 前記パターン上の前記絶縁膜との界面において前記レーザ光を全反射するもので傾斜面を有する反射パターンを形成する工程 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/265 602C ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301F

Fターム (12件)：

5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG41 ,  5F140BH14 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CE18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-158108   出願人：ソニー株式会社