特許

J-GLOBAL ID：200903002486287754

AlInGaN系半導体発光素子

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266351
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 AlInGaN系半導体発光素子において、インピーダンスを低減する。【解決手段】 サファイアc面基板1上に、p-GaN低温バッファ層2、p-GaNバッファ層3、p-In0.1Ga0.9Nバッファ層4、クラッド層、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層5、p-GaN光ガイド層6、活性層7、n-GaN 光ガイド層8、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層9およびn-GaN キャップ層10を順次成長する。SiN 膜14をプラズマCVDで全面に製膜した後、フォトリソグラフィとエッチングにより発光領域以外の不要部分を除去し、塩素イオンを用いたRlBEにより発光領域以外のエピタキシャル層をp-GaN バッファ層3が露出するまでエッチング除去する。SiN 膜14に電流注入のためのストライプ状窓12を作製後、該ストライプ窓12を覆うようにn側電極13としてTi/Al/Ti/Au を、またp-GaN バッファ層の露出部にp側電極11としてNi/Au を蒸着・窒素中アニールしてオーミック電極を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上の少なくとも一部に、少なくともp型クラッド層、活性層およびn型クラッド層を含む複数の半導体層と絶縁膜とがこの順に積層され、前記絶縁膜に単一モード発振をさせるための狭ストライプの電流注入窓が形成され、前記絶縁膜上に前記電流注入窓を覆うようにn側電極が形成され、前記p型クラッド層側にp側電極が形成されているAlxInyGa1-x-yN(0≦x, y≦1)系半導体発光素子において、前記p側電極が前記半導体層と接触する面積が前記電流注入窓の面積よりも広いことを特徴とするAlInGaN系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-043581   出願人：株式会社東芝