特許
J-GLOBAL ID：200903002493912958

半導体装置

発明者：
後藤 広之

後藤 広之 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036768
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233398
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップとパターン配線基板との電気的な接続信頼性を確保するとともに半導体チップに形成される素子数の低減を防止すること。【解決手段】 素子形成領域Cと重複しない信号入出力用電極バンプ形成領域Aに、電極バンプ11よりも接触面積が大きく平面形状が円弧である補強用電極バンプ12を、半導体チップ10の隅端部と前記補強用電極バンプ12の外周側の円弧L2とが対向するように形成する。この補強用電極バンプ12を設けることによって、半導体チップ10の四隅の応力集中を緩和することができるとともに、素子形成領域Cが制限されることがないので、素子数の低減を防止することもできる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの素子形成領域と重複しない信号入出力用電極バンプ形成領域の隅に、前記信号入出力用電極バンプよりも接触面積の大きい平面形状が円弧の補強用バンプを、前記半導体チップの隅端部と前記補強用バンプの外周側とが対向するように形成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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