特許

J-GLOBAL ID：200903012417116943

ハイブリッド型赤外線センサ

発明者： 川原 章裕
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293649
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139299
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 サーマルサイクルによるストレスによってInバンプが破損されるのを防止する。【構成】 図1にはHgCdTe基板のフォトダイオードが正方マトリクス状に配列されているイメージ領域11と周辺領域12の境界付近の一隅分が示されている。イメージ領域11の内側周囲はグランド領域13となされ、この領域の基板表面領域にはp+ 型の拡散層が形成されている。イメージ領域11の表面には、フォトダイオード用バンプ14aとグランド用バンプ14bが形成されており、周辺領域12上には補強用バンプ14cが形成されている。【効果】 ダミーバンプである補強用バンプ14cが最も強くストレスを受けるため、イメージ領域内のバンプ14a、14bの破損は抑制される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなり、そのイメージ領域に二次元アレイ状に複数の光検出素子が形成された第1の半導体基板と、シリコンからなり、各光検出素子に対応した位置に金属電極が形成され前記光検出素子において生成された信号電荷を個別に読み出す手段が形成された第2の半導体基板と、を有し、前記光検出素子と前記金属電極との間が金属バンプにより接続されているハイブリッド型赤外線センサにおいて、前記イメージ領域の外側には前記第1および第2の半導体基板間を接続する補強用金属バンプが前記イメージ領域の中央を中心として対称的に設けられていることを特徴とするハイブリッド型赤外線センサ。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/321 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 27/14 K ,  H01L 21/92 602 N ,  H01L 27/14 D ,  H01L 27/14 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-164393   出願人：富士通株式会社
• 特開昭58-053837