特許
J-GLOBAL ID：200903002497233400
ガス流量制御方法およびそれを用いる半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289509
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134912
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 マスフローコントローラにおける設定流量と実流量とのずれを自動的に補正し、処理室に導入されるプロセスガスの流量制御を高精度で行う。【解決手段】 半導体ウエハW表面上で酸化膜の形成により消費されたガスは、排気口2bからプロセスチューブ2外に排気され、水素ガス検知器10による水素ガスの検知の後、冷却器11により冷却され、ガス濃度分析器12がガス中の酸素濃度の検知を行い、排気される。ガス濃度分析器12により検知された酸素濃度のデータはガス流量換算器13によって外部燃焼装置7に供給されている酸素の流量に換算する。酸素ガスの流量が多いと、チューブコントローラ14は酸素ガスの供給を少なくする制御信号を、酸素ガスの流量が少ないと、酸素ガスの供給を多くする制御信号をマスフローコントローラ8に出力し、酸素濃度が規定の値となるように制御を行う。
請求項（抜粋）：
所定の処理が行われる被処理物が設けられた処理室内に流量制御された複数のプロセスガスを導入するガス流量制御方法であって、前記処理室から排気される処理後の前記プロセスガスの内、少なくとも1つの所定の前記プロセスガスの濃度を測定する工程と、測定された所定の前記プロセスガスの濃度に基づいて前記処理室に導入される所定の前記プロセスガスの流量を算出する工程と、算出された所定の前記プロセスガスの流量に基づいて前記処理室に導入される複数の前記プロセスガスの内、少なくとも1つの前記プロセスガスにおける流量制御を行う工程とを有したことを特徴とするガス流量制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
