特許

J-GLOBAL ID：200903002520611094

LEDアレイの製造方法

発明者： 荻原 光彦 ,  谷中 真澄 ,  清水 孝篤
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020153
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213993
出願日： 1996年02月06日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 LEDアレイの電極パターンの形成において、エッチングマージン等とは無関係に、電極パターン形成を行い、容易な工程で効率的、かつ特性的に優れたLEDアレイの製造方法を提供する。【解決手段】 n型化合物半導体基板11にZnを選択拡散するための開口部を有する拡散マスク(AlN薄膜)12を形成する工程と、前記拡散マスク開口部を通して前記半導体基板11にZnを拡散する工程と、拡散領域の一部領域の半導体表面を露出させる工程と、半導体基板全面にリフトオフ用ネガ系レジストを塗布し、Alを主材料とするp電極パターンを形成するためのそのレジストのパターニングを行う工程と、全面にAlを主材料とする金属薄膜23を形成する工程と、リフトオフ法によりp電極パターン23Aを形成する工程と、前記半導体基板の裏面にn電極を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

(a)n型化合物半導体基板にZnを選択拡散するための開口部を有する拡散マスクを形成する工程と、(b)前記拡散マスク開口部を通して前記半導体基板にZnを拡散する工程と、(c)拡散領域の一部領域の半導体表面を露出させる工程と、(d)半導体基板全面にレジストを塗布し、Alを主材料とするp電極パターンを形成するための該レジストのパターニングを行う工程と、(e)全面に電極膜を形成する工程と、(f)リフトオフ法によりp電極パターンを形成する工程と、(g)前記半導体基板の裏面にn電極を形成する工程とを施すLEDアレイの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  B41J 3/21 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• LEDアレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-262817   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平2-002646