特許

J-GLOBAL ID：200903002527726954

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置

発明者： 鴻 井 克 彦 ,  岩 崎 仁 志 ,  福 澤 英 明 ,  富 田 宏 ,  福 家 ひろみ ,  佐 橋 政 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-273992
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072608
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 MR増大効果の得られるフリー層側の電子反射層を改良した磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 磁化の方向が実質的に一方向に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性中間層と、を備え、前記磁化自由層からみて前記非磁性中間層とは反対側に、前記磁化固着層及び前記磁化自由層よりも高い導電性を有する高導電層が積層され、この高導電層に、この高導電層を構成する主要元素とは異なる元素の酸化物を主成分とし、イオン化したガスを照射することによって形成された層が積層されてなることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁化の方向が実質的に一方向に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、 磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、 前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性中間層と、 を備え、 前記磁化自由層からみて前記非磁性中間層とは反対側に、前記磁化固着層及び前記磁化自由層よりも高い導電性を有する高導電層が積層され、 この高導電層に、この高導電層を構成する主要元素とは異なる元素の酸化物を主成分とし、イオン化したガスを照射することによって形成された層が積層されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01F41/32 ,  H01L43/12

FI (8件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01F41/32 ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R

Fターム (13件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049GC06 ,  5E049GC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-078702   出願人：株式会社東芝
• スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-177472   出願人：アルプス電気株式会社