特許
J-GLOBAL ID：200903024205337514
積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078702
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156530
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 長期的な信頼性を向上させさらに初期特性も改善された磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】 外部磁界により磁化方向が変化する第1の磁性層と、磁化が実質的に固着された第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた非磁性中間層と、を備えた磁気抵抗効果素子であって、前記第1の磁性層に隣接して設けられた金属バリア層と、前記金属バリア層に隣接して設けられ、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、塩化物、硫化物及びホウ化物から選ばれた少なくともいずれかを含む電子反射層と、をさらに備えた磁気抵抗効果素子を提供する。さらに、金属下地層や結晶成長制御層を設けることにより信頼性が顕著に改善される。
請求項（抜粋）：
下地結晶層と、前記下地結晶層の上に設けられた結晶成長制御層と、前記結晶成長制御層の上に設けられた複数の薄膜層を有する機能層と、を備え、前記結晶成長制御層は、酸素(O),窒素(N),炭素(C)、フッ素(F),硼素(B)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含み、前記下地結晶層の膜厚は、15nm以下であり、前記結晶成長制御層と機能層との界面のラフネスは、1.5nm以下であることを特徴とする積層薄膜機能デバイス。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
5D034BA05
, 5D034BA21
, 5D034CA04
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049DB02
, 5E049DB04
, 5E049DB12
