特許

J-GLOBAL ID：200903002555934856

薄膜構造体

発明者： 梨本 恵一 ,  渡部 雅夫 ,  森山 弘朗
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255886
公開番号（公開出願番号）：特開2001-080996
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 単結晶基板の表面に形成される薄膜構造体であって、単結晶状またはエピタキシャル状でありABO3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜を表面に有する薄膜構造体とその製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板10の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のPb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3からなるバッファ層12を設けた後に、該バッファ層12の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありABO3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜14を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板の表面に形成される薄膜構造体であって、該単結晶基板の表面に設けられた単結晶状またはエピタキシャル状のPb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3からなるバッファ層と、該バッファ層の表面に設けられた単結晶状またはエピタキシャル状でありABO3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜と、からなる薄膜構造体。

IPC (4件)：

C30B 29/32 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  H01B 5/14

FI (4件)：

C30B 29/32 D ,  H01B 5/14 Z ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 H

Fターム (14件)：

2H047PA02 ,  2H047PA06 ,  2H047QA01 ,  2H047QA07 ,  2H047TA00 ,  2H047TA43 ,  4G077AA03 ,  4G077BC11 ,  4G077BC43 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  5G307GA08 ,  5G307GC02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配向性強誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297621   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 高誘電体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-178949   出願人：株式会社日立製作所