特許

J-GLOBAL ID：200903002556559358

CVD装置およびそれを用いたCVD装置のクリーニング方法

発明者： 坂 井 克 夫 ,  大 倉 誠 司 ,  坂 村 正 二 ,  安 部 薫 ,  村 田 等 ,  和 仁 悦 夫 ,  亀 田 賢 治 ,  三 井 有 規 ,  大 平 豊 ,  米 村 泰 輔 ,  関 屋 章
出願人/特許権者： 財団法人地球環境産業技術研究機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-164688
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006554
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】成膜工程の際に反応チャンバーの内壁、電極などの表面、ならびに排気経路などの配管などの側壁に付着、堆積したSiO2、Si3N4などの副生成物を、効率良く除去することができ、排出されるクリーニングガスの排出量も極めて低く、地球温暖化などの環境へ与える影響も少なく、コストも低減できるCVD装置におけるクリーニング方法を提供する。【解決手段】反応チャンバー内に、反応ガスを供給して、反応チャンバー内に配置した基材表面上に堆積膜を形成するCVD装置であって、反応チャンバー内からポンプを介して排気ガスを排気する排気経路に、ポンプの下流側から排気経路の上流側に排気ガスを還流する排気ガス還流経路を配設するとともに、排気ガス還流経路に、プラズマ発生装置を配設した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

反応チャンバー内に、反応ガスを供給して、反応チャンバー内に配置した基材表面上に堆積膜を形成するCVD装置であって、 前記反応チャンバー内からポンプを介して排気ガスを排気する排気経路に、排気経路の上流側に排気ガスを還流する排気ガス還流経路を配設するとともに、 前記排気ガス還流経路に、プラズマ発生装置を配設したことを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/44

FI (3件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/44 E ,  C23C16/44 J

Fターム (28件)：

4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA14 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EE01 ,  5F045EG01 ,  5F045EG03 ,  5F045EG05 ,  5F045EG07 ,  5F045EG09 ,  5F045EH14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 排気装置及び排気方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171766   出願人：富士通株式会社
• 半導体処理中のガスの利用効率を向上させるための方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174595   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• ガス除害システム及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-150444   出願人：日本酸素株式会社
• 成膜装置のクリーニング方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-217700   出願人：セイコーエプソン株式会社