特許
J-GLOBAL ID：200903034668655839

半導体処理中のガスの利用効率を向上させるための方法及び装置

発明者：
セバスチャン ラオウクス

セバスチャン ラオウクス について

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ツトム タナカ

ツトム タナカ について

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トーマス ノワック

トーマス ノワック について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075973
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 処理チャンバ、およびそこへガスを供給するために処理チャンバへ結合されるガスのソースを含む処理システム【解決手段】 ポンプは、処理チャンバに隣接して配置され、処理チャンバからガスを圧送するために処理チャンバへ結合される。更に、処理システムは、リサイクルラインを含み、それはポンプへ結合され、処理チャンバから圧送されるガスの少なくとも一部分を処理チャンバへ循環するよう成される。堆積チャンバをクリーニングし、そして半導体基板をエッチングする方法も提供される。
請求項（抜粋）：
処理システムであって、処理チャンバと、処理チャンバに結合され、処理チャンバへガスを供給するよう構成されるガスソースと、処理チャンバに隣接して配置され、処理チャンバに結合され、処理チャンバからガスを圧送するよう構成されるポンプと、ポンプに結合され、処理チャンバから圧送されるガスの少なくとも一部を処理チャンバへ戻し循環するよう構成されるリサイクルラインとを備える処理システム
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N
Fターム (59件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA23 ,  4G075CA47 ,  4G075DA01 ,  4G075EB41 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA14 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE02 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE14 ,  4K057DM02 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB28 ,  5F004BC04 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA05 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F045AA03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EG08 ,  5F045EG09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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