特許

J-GLOBAL ID：200903002566220286

酸化膜形成方法

発明者： 勝俣 裕 ,  齋藤 誠 ,  藤田 博 ,  西村 絵里子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-277911
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093445
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】低温でダメージの少ない良質な酸化膜を形成する方法とその装置を提供する。【解決手段】酸化源を含む高圧溶液を基板表面に噴出することにより、基板表面層に局所的に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。また、基板を設置する設置台と、酸化源を含む溶液の供給源と、溶液に圧力をかける手段と、圧力のかかった溶液を基板表面に噴出する供給ノズルとを有する基板処理装置である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化源を含む5MPa以上の高圧溶液を基板表面に向けて噴出することにより、前記基板の表面層に酸化膜を形成することを特徴とする酸化膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L21/316 U ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF69 ,  5F058BF75 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD06 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07