特許
J-GLOBAL ID：200903002566547080
磁気光学デバイス及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-074772
公開番号（公開出願番号）：特開2006-259074
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 各ピクセルの磁気光学結晶が磁気的に完全に分離され、且つ表面全体を平坦化する。【解決手段】 非磁性基板表面の各ピクセル箇所に形成されている凹部に磁気光学結晶が埋設され、ピクセル間ギャップで非磁性基板と一体の仕切り壁により前記磁気光学結晶同士が磁気的に分離され、表面全体が平坦化されている構造である。製造方法としては、非磁性基板表面の各ピクセル形成箇所を予め掘り下げることで周囲のピクセル間ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工するピクセル箇所の掘り下げ工程、その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶を成膜する磁性膜成膜工程、ギャップ部上に成長した磁性膜による凸部を除去して平坦化する表面平坦化工程を具備している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非磁性基板表面の各ピクセル箇所に形成されている凹部に磁気光学結晶が埋設され、ピクセル間ギャップ位置で非磁性基板と一体の仕切り壁により前記磁気光学結晶同士が磁気的に分離され、表面全体が平坦化されていることを特徴とする磁気光学デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2H079AA03
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA02
, 2H079DA12
, 2H079EB18
, 2H079GA05
