特許
J-GLOBAL ID：200903002583893901

水素選択性ガス分離膜

発明者：
幡谷 耕二

幡谷 耕二 について

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幾原 裕美

幾原 裕美 について

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永野 孝幸

永野 孝幸 について

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佐藤 功二

佐藤 功二 について


出願人/特許権者：
財団法人ファインセラミックスセンター

財団法人ファインセラミックスセンター について


代理人 (3件)： 小島 清路 ,  萩野 義昇 ,  谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-084720
公開番号（公開出願番号）：特開2009-233608
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】水素ガスを含む混合ガスから、水素ガスを選択的且つ効率的に分離することができ、長期に渡って、安定したガス分離性能を有し、耐久性に優れる水素選択性ガス分離膜を提供する。【解決手段】本発明の水素選択性ガス分離膜は、400°C以上の水素ガス中で金属として存在する元素Mと、Si元素と、O元素とを含み、且つ、Si-O結合を有する水素選択性ガス分離膜において、モル比M/Siが0.06〜0.19である。上記元素MがCo元素である場合、好ましいモル比Co/Siは、0.09〜0.19である。また、上記元素MがNi元素である場合、好ましいモル比Ni/Siは、0.06〜0.14である。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
400°C以上の水素ガス中で金属として存在する元素Mと、Si元素と、O元素とを含み、且つ、Si-O結合を有する水素選択性ガス分離膜において、モル比M/Siが0.06〜0.19であることを特徴とする水素選択性ガス分離膜。
IPC (2件)：
B01D 71/02 ,  C01B 3/56
FI (2件)：
B01D71/02 500 ,  C01B3/56 Z
Fターム (21件)：
4D006GA41 ,  4D006KA31 ,  4D006MA02 ,  4D006MA07 ,  4D006MA09 ,  4D006MA31 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA10 ,  4D006NA46 ,  4D006NA49 ,  4D006NA62 ,  4D006PA01 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4G140FA01 ,  4G140FB01 ,  4G140FB06 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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