特許
J-GLOBAL ID:200903006477037953
水素選択性ガス分離膜、水素選択性ガス分離材及びこれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-055444
公開番号(公開出願番号):特開2005-118767
出願日: 2004年02月27日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】 水素ガスを選択的且つ効率的な分離に好適な水素選択性ガス分離膜及び水素選択性ガス分離材並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の分離膜は、水素ガスに対して親和性の高い金属の元素、Si及びOを含み、且つ、Si-O結合を有する。本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基部と、この多孔質基材の表面に配設された本発明の分離膜とを備える。本発明の水素選択性ガス分離材は、多孔質基材と、この多孔質基材の表面に配設された膜とを備え、この膜は、少なくとも2層以上から構成され、各層の元素分布が異なる。上記膜の表層又は多孔質基材に接する側の層に、水素ガスに対して親和性の高い金属(8族の元素)を含むことが好ましい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
水素ガスに対して親和性の高い金属の元素、Si及びOを含み、且つ、Si-O結合を有する(但し、該元素がNiであり且つ本水素選択性ガス分離膜が単層である場合を除く)ことを特徴とする水素選択性ガス分離膜。
IPC (4件):
B01D71/02
, B01D53/22
, B01D67/00
, C04B41/85
FI (4件):
B01D71/02 500
, B01D53/22
, B01D67/00 500
, C04B41/85 C
Fターム (22件):
4D006GA41
, 4D006HA28
, 4D006JA02C
, 4D006JA03A
, 4D006KA31
, 4D006KB30
, 4D006MA02
, 4D006MA06
, 4D006MA07
, 4D006MA09
, 4D006MA30
, 4D006MA31
, 4D006MB04
, 4D006MC02X
, 4D006MC03X
, 4D006NA32
, 4D006NA46
, 4D006NA50
, 4D006NA54
, 4D006NA62
, 4D006PA01
, 4D006PB66
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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