特許
J-GLOBAL ID:200903002589466371

位相シフトフオトマスクの製造方法及び位相シフトフオトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小西 淳美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-263118
公開番号(公開出願番号):特開平7-098494
出願日: 1993年09月28日
公開日(公表日): 1995年04月11日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 最上層に光反射防止層を有する遮光層からなる、本パターン及びステッパー露光時の位置合わせパターンが、シフターパターン形成時に、遮光層の表面部にエッチングによりダメージを受けないようにした、上シフター型位相シフトフオトマスクの製造方法、及びダメージのない上シフター型位相シフトフオトマスクを提供する。【構成】 光反射防止層を最上層に配設した遮光層パターンを有する、シフターのエッチングストッパー層を設けた上シフター型の位相シフトフオトマスクの製造方法であり、少なくとも、遮光パターン30P上にエッチングストッパー層4を設ける工程と、後に、シフターパターンをエッチングする工程を有する製造方法、及び光反射防止層を最上層に配設した遮光層パターン上にシフターのエッチングストッパー層を有する上シフター型位相シフトフオトマスク。
請求項(抜粋):
シフターのエッチングストッパー層を設けた上シフター型で、遮光層パターンが光反射防止層を最上層に配設した、位相シフトフオトマスクの製造方法であって、少なくとも、遮光層パターン上にシフターのエッチングストッパー層を設ける工程と、該工程後に、シフターパターンをエッチング形成する工程とを有することを特徴とする位相シフトフオトマスクの製造方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許:
審査官引用 (3件)

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