特許

J-GLOBAL ID：200903002594996753

半導体装置の試験方法

発明者： 山口 賢哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-312056
公開番号（公開出願番号）：特開2005-077387
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 本発明は検査後の半導体装置の劣化を確認できる半導体装置の試験方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体装置における検査において、半導体装置の中に入っている半導体チップ内に形成された保護ダイオードの順方向電圧の測定を複数の検査項目からなる機能及び性能を検査する検査工程(S4)の前後(S3)(S5)に実施して、半導体装置の破壊を判定(S6)する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

入出力端子に接続された保護ダイオードと、前記入出力端子に接続された内部回路とを集積化した半導体装置の電気的特性を試験する方法であって、 前記入出力端子に接続された保護ダイオードの順方向ダイオード電圧を測定する第1の検査工程と、 その後、前記内部回路の複数の回路機能を検査する第2の検査工程と、 前記第2の検査工程の後に前記保護ダイオードの順方向ダイオード電圧を測定する第3の検査工程と、 前記第1の検査工程と第3の検査工程との測定値の差を求める第4の検査工程と を備えた半導体装置の試験方法。

IPC (3件)：

G01R31/26 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (2件)：

G01R31/26 G ,  H01L27/04 T

Fターム (9件)：

2G003AA07 ,  2G003AB03 ,  2G003AE01 ,  2G003AH05 ,  2G003AH10 ,  5F038BH04 ,  5F038DT10 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094038   出願人：松下電子工業株式会社