パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275999
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088256
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】液浸露光においてウォーターマーク領域内に偏析する未反応の光酸発生剤や酸トラップ剤を効果的に除去することができ、現像欠陥及び寸法精度劣化を抑制する。【解決手段】パターン形成方法において、基板11上に化学増幅型レジスト膜13を形成した後、化学増幅型レジスト膜13と投影光学系との間に第1の薬液を形成し、次いで第1の薬液が形成された状態で、レジスト膜13に所望パターンの潜像を形成し、次いでレジスト膜13に対し、レジスト膜13は溶解させず、且つレジスト膜13中の未反応の光酸発生剤及び酸トラップ剤を溶解することのできる、有機溶剤からなる第2の薬液を供給し、次いでレジスト膜13に対して加熱処理を施し、しかる後にレジスト膜13に対して現像処理を施す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜と投影光学系との間に第1の薬液を形成する工程と、前記第1の薬液が形成された状態で、前記レジスト膜に所望パターンの潜像を形成する工程と、前記潜像が形成された前記レジスト膜に対し、該レジスト膜中の未反応の光酸発生剤及び/又は酸トラップ剤を抽出することのできる、有機溶剤からなる第2の薬液を供給する工程と、前記第2の薬液の供給による処理が施された前記レジスト膜に対して加熱処理を施す工程と、前記加熱処理された前記レジスト膜に対して現像処理を施す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/38

FI (2件)：

H01L21/30 568 , G03F7/38 511

Fターム (7件)：

2H096AA25 , 2H096EA18 , 2H096FA05 , 5F046CB01 , 5F046CB26 , 5F046DA07 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

液浸型露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-121757 出願人：株式会社ニコン

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