特許

J-GLOBAL ID：200903002606735195

ウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法

発明者： 渡辺 雅之 ,  和田 幸久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015536
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201014
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】ウエハ面内での高い均一性をもってポリシリコン膜をウエットエッチングできるエッチング装置およびエッチング方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液を吐出するフッ硝酸溶液供給部6と、フッ硝酸溶液にNO2ガスを混合するNO2ガス供給部7とを備える。フッ硝酸溶液にNO2ガスを混合し、次にNO2ガスが混合されたフッ硝酸溶液を用いてポリシリコン膜をエッチングする。薬液吐出部においてもNO2が充分に供給されて、ウエハ面全体においてNO2による酸化反応が均一化され、ウエハ面内におけるポリシリコン膜のウエットエッチングの均一性が改善される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたポリシリコン膜をウエットエッチングするための装置であって、 前記ポリシリコン膜をエッチングするための薬液を吐出するフッ硝酸溶液供給部と、 前記フッ硝酸溶液にNO2ガスを混合するNO2ガス供給部とを備えたウエットエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L21/306 G ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 C

Fターム (17件)：

4M104BB01 ,  4M104DD64 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043DD08 ,  5F043EE02 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-326063   出願人：ソニー株式会社, 日本エスイーゼット株式会社