特許
J-GLOBAL ID：200903093983112645
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326063
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134466
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 被加工膜の膜厚分布に由来する特性ばらつきを解消する。【解決手段】 半導体装置の製造過程において、ウェハ上に形成された被加工膜を加工する前に、予め被加工膜の形状を変化させる処理を施して平坦化しておく。被加工膜の形状を変化させる処理としては、枚葉式ウェットエッチングを挙げることができる。被加工膜に対して加工手段との相性を考慮し、相性の悪い部分を相殺させるように被加工膜に例えばウェットエッチングを施すことで、事前に被加工膜の面内分布が改善される。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造過程において、ウェハ上に形成された被加工膜を加工する前に、予め被加工膜の形状を変化させる処理を施して平坦化しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/306 Q
, H01L 21/76 L
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA77
, 5F032DA02
, 5F032DA24
, 5F032DA78
, 5F043AA31
, 5F043BB22
, 5F043DD12
, 5F043DD16
, 5F043EE08
, 5F043EE22
, 5F043EE27
, 5F043FF01
, 5F043FF07
, 5F043GG05
