特許

J-GLOBAL ID：200903002617264917

基質上へのフィルムの蒸着法

発明者： バン・ウイーク,マルグレート・アルベルテイネ・アン-マリー
出願人/特許権者： エイエスエム・インターナシヨナル・エヌ・ブイ
代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-513963
公開番号（公開出願番号）：特表2004-504496
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

基質上へのフィルムの化学蒸着法。バルク化学蒸着の前に、基質を核形成処理に供する。核形成処理は原子層蒸着を含み、ここで基質は少なくとも2種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、ここで核形成温度は用いられる反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれる。

請求項（抜粋）：

-反応室内に基質を導入し、 -該基質を第1の温度において核形成処理を含む第1の処理に供し、核形成層を得、 -続いて第2の温度においてバルク(bulk)化学蒸着を含む第2の処理に供し、 -ここで該第1及び第2の処理を同じ反応室内で行う ことを含み、 -該核形成処理が原子層蒸着(atomic layer deposition)を含み、ここで基質は少なくとも2種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、該第1の温度は該反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ該反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれ、核形成処理は20サイクル未満を含む ことを特徴とする、基質上にフィルムを化学蒸着するための方法。

IPC (3件)：

C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316

FI (3件)：

C23C16/44 A ,  H01L21/285 C ,  H01L21/316 X

Fターム (20件)：

4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030EA03 ,  4K030JA10 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-202082   出願人：富士通株式会社
• 特開昭64-037832
  

審査官引用 (3件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-202082   出願人：富士通株式会社
• 特開昭64-037832
  
• 特開昭64-037832