特許
J-GLOBAL ID：200903002630187336
半導体装置及び電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097816
公開番号（公開出願番号）：特開2001-286158
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】半導体装置におけるスイッチング時の跳ね上がり電圧の増大とそれに伴なう素子破壊と電力損失の増大の原因となるインダクタンスの低減。【解決手段】半導体装置において半導体スイッチをブリッジ接続する配線の一部を積層化し、少なくとも2対の前記配線と接続する正極負極直流端子対を半導体装置の方形状ケース上面の1辺に直流端子を正極負極の交互に並設する。
請求項（抜粋）：
ブリッジ接続された少なくとも2個の半導体スイッチと、少なくとも1つの出力端子と、少なくとも2つの直流端子対と、前記出力端子と前記半導体スイッチとを接続する第1の導体と、前記直流端子対と前記半導体スイッチとを接続する第2の導体と、前記半導体スイッチを含む筐体とを有し、前記第2の導体の少なくとも一部は導体間に絶縁体を挟む積層構造を有し、前記少なくとも2つの直流端子対を前記筐体の一面の1辺に設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H02M 7/48
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H02M 1/00
H02M 7/48 Z
, H02M 1/00 F
, H01L 25/04 C
5H007CA02
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007EA02
, 5H007HA03
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BB09
, 5H740BB10
, 5H740BC06
, 5H740JA23
, 5H740MM10
, 5H740PP02
, 5H740PP03
, 5H740PP04
