誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-106571
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】低温焼成でき、電気特性、温度特性に優れた高誘電率の誘電体セラミック組成物、並びにそれを用いたセラミック電子部品を提供することにある。【解決手段】一般式:Ba(Zr<SB>x</SB>Zn<SB>y</SB>Ta<SB>z</SB>)αOω(但し、0.01≦x≦0.06、0.29≦y≦0.34、0.60≦z≦0.70、x+y+z=1、1.00<α<1.03、ωは任意の数)で表される誘電体セラミック成分にSiO<SB>2</SB>-B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>系ガラス成分を混合してなる誘電体セラミック組成物で誘電体層4を形成し、この誘電体4上に、Ag系又はCu系の導体パターン8を備えたことを特徴とする、セラミック多層モジュール1。

請求項（抜粋）：

一般式:Ba(Zr<SB>x</SB>Zn<SB>y</SB>Ta<SB>z</SB>)αOω(但し、0.01≦x≦0.06、0.29≦y≦0.34、0.60≦z≦0.70、x+y+z=1、1.00<α<1.03、ωは任意の数)で表される誘電体セラミック成分に少なくとも酸化ケイ素、酸化ホウ素を含有するガラス成分を混合してなることを特徴とする、誘電体セラミック組成物。

IPC (9件)：

C04B 35/495 , H01B 3/02 , H01B 3/12 312 , H01B 3/12 335 , H01F 27/00 , H01G 4/12 358 , H01G 4/30 301 , H01G 4/38 , H01G 4/40

FI (9件)：

H01B 3/02 A , H01B 3/12 312 , H01B 3/12 335 , H01G 4/12 358 , H01G 4/30 301 E , C04B 35/00 J , H01F 15/00 D , H01G 4/38 A , H01G 4/40 321 A

Fターム (72件)：

4G030AA05 , 4G030AA10 , 4G030AA17 , 4G030AA20 , 4G030AA21 , 4G030AA29 , 4G030AA32 , 4G030AA35 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030BA09 , 4G030CA08 , 4G030GA09 , 5E001AB03 , 5E001AC09 , 5E001AC10 , 5E001AE00 , 5E001AE02 , 5E001AE04 , 5E001AF06 , 5E001AH01 , 5E001AH05 , 5E001AH06 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E001AZ01 , 5E070AA05 , 5E070AB01 , 5E070BA01 , 5E070CB03 , 5E070CB13 , 5E070CB17 , 5E070EA01 , 5E082AA01 , 5E082AB03 , 5E082BB01 , 5E082BC40 , 5E082CC01 , 5E082DD08 , 5E082EE04 , 5E082EE23 , 5E082EE26 , 5E082EE35 , 5E082FG06 , 5E082FG22 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082GG10 , 5E082JJ12 , 5E082JJ15 , 5E082JJ23 , 5E082LL02 , 5E082LL03 , 5E082MM22 , 5E082MM24 , 5E082PP03 , 5G303AA01 , 5G303AA05 , 5G303AB15 , 5G303BA11 , 5G303CA03 , 5G303CB02 , 5G303CB03 , 5G303CB06 , 5G303CB17 , 5G303CB21 , 5G303CB23 , 5G303CB30 , 5G303CB32 , 5G303CB33 , 5G303CB38

引用特許：

審査官引用 (4件)

特公平6-008209
セラミックコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-182647 出願人：株式会社東芝
セラミック基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-005196 出願人：株式会社村田製作所

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