特許
J-GLOBAL ID：200903002646191279

エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード

発明者：
柴田 幸弥

柴田 幸弥 について

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水庭 清治

水庭 清治 について

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豊島 敏也

豊島 敏也 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014936
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214993
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】従来に比べ安定して高輝度の発光を得ることができるエピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード。【解決手段】ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハのp型GaAlAsクラッド層2とp型GaAlAs活性層3との間の界面の酸素濃度およびn型GaAlAsクラッド層4とp型GaAlAs活性層3との間の界面の酸素濃度を1×1017cm-3程度以下にすることによって高輝度で高い歩留まりのエピタキシャルウエハを得ることができることが分かった。また、エピタキシャルウエハの層中のp型GaAlAs活性層3付近の酸素濃度を1×1017cm-3程度以下にするために、予め液相エピタキシャル成長に用いる原料であるアンドープGaAs多結晶の酸素濃度を1×1016cm-3程度以下のものを使用することが好ましい。
請求項（抜粋）：
p型化合物半導体基板の上に、p型化合物半導体クラッド層とp型化合物半導体活性層とn型化合物半導体クラッド層とが順次形成されているダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハにおいて、上記p型化合物半導体クラッド層とp型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度および上記p型化合物半導体活性層とn型化合物半導体クラッド層との界面の酸素濃度を、それぞれ1×1017cm-3以下にしたことを特徴とするエピタキシャルウエハ。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/208
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/208 Z
引用特許：
審査官引用 (6件)
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