特許
J-GLOBAL ID：200903002665407584
変調器集積半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-220857
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065275
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザと光変調器とが突き合わせ結合により集積化された変調器集積半導体レーザを提供する。【解決手段】 半導体レーザ部30と光変調器部27とが突き合わせ結合により集積化された変調器集積半導体レーザにおいて、前記変調器の一部であって、前記突き合わせ結合部近傍のエネルギーギャップが狭くなった光吸収層の領域17に、電流を注入する電流注入領域29を有する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと光変調器とが突き合わせ結合により集積化された変調器集積半導体レーザにおいて、前記変調器の一部であって、前記突き合わせ結合部近傍のエネルギーギャップが狭くなった光吸収層に、電流を注入する手段を有することを特徴とする変調器集積半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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