特許

J-GLOBAL ID：200903002684367720

半導体レーザ

発明者： 石井 啓之 ,  狩野 文良 ,  吉国 裕三
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061681
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273400
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 1電極への注入電流制御により連続的に発振波長を変化させること、および2電極への注入電流制御により広範囲に発振波長を変化させることができる半導体レーザを提供する。【構成】 半導体レーザは交互に周期的に配置された活性導波路層5と非活性導波路層6、これらと同じ周期で配置された回折格子7とを有する直線状導波路をp型およびn型光閉じ込め層4,8で挟み、層4上にコンタクト層3を介して活性層駆動電極1、波長制御電極2を層5,6に対応してそれぞれ設け、層8にはn型共通電極9を設けている。電極1どうし、電極2どうしが半導体レーザ光面上で短絡されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、該基板より光学的屈折率が大きい光導波路層と該光導波路層より屈折率が小さい光閉じ込め層をそれぞれ1層以上含む直線光導波路において、該光導波路層は発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが光の伝搬方向に沿って交互に周期的に繰り返し配置された構造を有し、該光導波路層は回折格子が形成された領域と回折格子が形成されていない領域が交互に周期的に繰り返し配置された構造を有し、かつこれら2つの繰り返し周期が等しいことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354213   出願人：株式会社東芝