窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167986
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357820
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】貫通転位の発生を抑制し且つ膜の平坦性を維持して、故に優れた発光特性を有するGaN系半導体発光素子及びその製造方法を与える。【解決手段】少なくとも、低温バッファ層上に反応ガスの圧力を大気圧近傍に維持しつつアンドープ窒化ガリウム下地層を形成する下地層形成ステップと、下地層の表面を平坦化する平坦化層を形成する平坦化ステップと、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって、低温バッファ層を介して窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)を基板上に成膜して得られる窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、前記低温バッファ層上に反応ガスの圧力を大気圧近傍に維持しつつアンドープ窒化ガリウム下地層を形成する下地層形成ステップと、前記下地層の表面を平坦化する平坦化層を形成する平坦化ステップと、を含むことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01S 5/323

Fターム (34件)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030DA02 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF04 , 5F045BB11 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073EA07 , 5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (3件)

青色発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230679 出願人：株式会社東芝
特許第3786544号
特許第3786544号

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