特許

J-GLOBAL ID：200903055811376595

青色発光素子及びその製造方法

発明者： 新田 康一 ,  藤本 英俊 ,  石川 正行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129929
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 製造工程の短縮された窒化ガリウム系青色発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の導電型の不純物が添加された第1の窒化ガリウム系半導体層と、実質的に真正な窒化ガリウム系半導体活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の不純物が添加された第2の窒化ガリウム系半導体層が積層され、前記第1及び第2の窒化ガリウム系半導体層及び前記窒化ガリウム系半導体活性層は、熱CVDで形成された後不活性ガス中で自然放冷される。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の不純物が添加された第1の窒化ガリウム系半導体層と、実質的に真正な窒化ガリウム系半導体活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の不純物が添加された第2の窒化ガリウム系半導体層が積層され、前記第1及び第2の窒化ガリウム系半導体層及び前記窒化ガリウム系半導体活性層は、熱CVDで形成された後不活性ガス中で自然放冷され、添加された不純物の7%以上が活性化されていることを特徴とする青色発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3族窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286048   出願人：豊田合成株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-250540   出願人：松下電器産業株式会社
• p型AlGaN系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-163217   出願人：三菱電線工業株式会社
• p型GaN系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162473   出願人：三菱電線工業株式会社