特許

J-GLOBAL ID：200903002698922255

チアゾリジン誘導体の製造方法

発明者： 森田 光 ,  森 浩幸 ,  古林 祥正
出願人/特許権者： 日東化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120130
公開番号（公開出願番号）：特開平10-338679
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 5-(4-アシロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンを経由し、5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンを高収率で製造する方法を提供する。【解決手段】 5-(4-ヒドロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンのフェノール性水酸基をアシル基で保護し、塩化トリフェニルメチルによりトリフェニルメチル化した後、脱アシル化することにより、目的とする5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンを高収率で製造できる。

請求項（抜粋）：

5-(4-アシロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンを経由して、5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンを製造する方法において、(a) 5-(4-ヒドロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンのフェノ-ル性水酸基をアシル基で保護する第1工程、(b) 上記第1工程で得られた下記一般式(1)で表される5-(4-アシロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンを塩化トリフェニルメチルと反応させる第2工程、(式中、R1 は炭素数1〜3のアルキル基、またはフェニル基を示す)(c) 上記第2工程で得られた下記一般式(2)で表される5-(4-アシロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンのアシル基を脱保護する第3工程、(式中、R1 は前記と同様)からなることを特徴とする、5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• チアゾリジン化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-346121   出願人：三共株式会社
• ベンジルチアゾリジンジオン誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103220   出願人：日東化学工業株式会社