特許
J-GLOBAL ID：200903002751354400
窒化化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315451
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150335
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 窒化化合物半導体発光素子において、しきい値電流密度の低いレーザー素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶面(0,0,0,1)を結晶成長工程で形成し、その結晶面を光導波路の端面あるいは共振器ミラー面として用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層の結晶面(0,0,0,1)を結晶成長工程で形成し、その結晶面を光導波路の端面あるいは共振器ミラー面として用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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