特許

J-GLOBAL ID：200903002751366424

低電圧放電形プラズマイオン成膜装置

発明者： 赤堀 宏
出願人/特許権者： 株式会社真空デバイス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276359
公開番号（公開出願番号）：特開2000-065702
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】試料表面に有機合成膜,あるいはオスミウム膜を成膜するプラズマイオン成膜装置に於て,放電電圧を下げるとともにプラズマ密度を上げることにより試料損傷が無く成膜速度の早いプラズマイオン成膜装置の提供。【解決手段】負電極2をホローカソード形とし,対向したアノード電極3との間に直流電圧を印加することにより従来の並行電極形ダイオード放電に比べて2分の1以下の電圧で同じ放電電流が得られ,且つ発生したプラズマはカップ状のカソード内に閉じ込められることによりプラズマイオン密度が上昇することを利用し,ホローカソード内に置いた試料S表面に有機合成膜,あるいは金属オスミウム膜を試料のイオン損傷なしに効率よく生成させるプラズマイオン成膜装置を実現する。

請求項（抜粋）：

ダイオード放電プラズマイオン重合成膜装置に於て,負電極をホローカソード形とし,カソード電極内にプラズマを閉じ込めることにより比較的低電圧による放電でプラズマ重合を可能としたプラズマイオン成膜装置。

IPC (5件)：

G01N 1/28 ,  C23C 16/50 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/32 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

G01N 1/28 N ,  C23C 16/50 ,  H01J 37/20 F ,  H01J 37/32 ,  H05H 1/46 M ,  G01N 1/28 F

Fターム (15件)：

4K030AA09 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA01 ,  4K030CA00 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030JA17 ,  4K030KA15 ,  4K030KA16 ,  4K030KA30 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5C001BB07 ,  5C001CC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭62-055095
  
• 薄膜生成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-178398   出願人：富士電機株式会社