特許
J-GLOBAL ID：200903002785360530
表面清浄化方法及び装置、表面清浄化物及びその施工方法、クリップ部材、並びに半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227165
公開番号（公開出願番号）：特開平10-180207
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：
【要約】【課題】 高純度ガス供給部品において、被表面処理部品の水素、水分、有機物を低減する。【解決手段】 ガスの流れ方向に沿って、高純度不活性ガス流入口1a、被表面処理部品2a、ガスサンプリング配管3a、高感度ガス分析装置4aの順序で構成され、被表面清浄化部品2aの外周部に加熱手段5aを備えるものである。加熱手段5aは、温度センサー6aを用いて温度調節器7aで温度を制御している。また、ガスサンプリング配管3aは、被表面清浄化部品2aから脱離した水分、有機物が再吸着しないように、外周部に加熱手段5Aを備え、温度センサー6Aを用いて温度調節器7Aで温度を制御している。また、被表面清浄化部品2aの下部には冷却ファン8が付いており、冷却時間を短縮出来る。
請求項（抜粋）：
高純度ガス供給部品において、ガス流路内に高純度不活性ガスを通流させた状態で、被表面清浄化部品の外周部より昇温加熱を行った後、室温まで冷却して、実質的に酸化膜を形成させる事なく、ガス流路内に吸着している水素、水分、有機物の吸着量を低減させる表面清浄化方法。
IPC (4件)：
B08B 5/00
, C23G 5/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/306
B08B 5/00 Z
, C23G 5/00
, H01L 21/304 341 Z
, H01L 21/306 Z
