特許
J-GLOBAL ID：200903002786366680
エレクトロルミネッセンス素子の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212332
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035869
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 基板兼絶縁層である酸化物焼結BaTiO3セラミックを還元させることなく発光層薄膜の結晶性を改善し、高輝度かつ安定な緑色発光EL素子を提供する。【構成】比誘電率1000以上、好ましくは3000以上を有する焼結酸化物セラミック上に少なくとも一種からなる電子線励起用蛍光体であるZnGa2O4系酸化物薄膜を既知の製造法を用いて作製した後、上記基板とともにその薄膜構成元素を少なくとも一種含む酸化物粉末と硫黄を含む酸化物粉末とから成る粉末中に埋め込み、非酸化性ガスまたは一部酸化性ガスを含む非酸化性ガスまたは一部還元性ガスを含む非酸化性ガスの雰囲気の中で、あるいはまたこれらの雰囲気と等価な雰囲気中にて、600〜1200°C、好ましくは900〜1100°Cの温度範囲で熱処理することによって、該薄膜をEL素子用発光層として機能させる方法を提供する。
請求項（抜粋）：
基板兼絶縁層である比誘電率1000以上を有する焼結酸化物セラミック板上に少なくとも一種または一層の酸化物蛍光体薄膜を形成した後、硫黄を含む雰囲気中にて600°C〜1200°C、好ましくは900°C〜1100°Cの温度範囲で熱処理を施すことにより、該薄膜にエレクトロルミネッセンス素子用発光層としての十分な機能を付与することを特徴とする交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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