面発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181467
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038196
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】光伝送や光情報処理用の面発光素子において、2次元集積化に適した低消費電力化を実現する。【構成】 n形GaAs基板10上にn形GaAs/AlAs多層反射膜20、n形GaAs層11、In0 . 2 Ga0 . 8 As活性層12、p形GaAsクラッド層13、p形GaAs/AlAs多層反射膜21を順次成長する。成長層の一部を素子上部から見た時に正方形となるようにn形GaAs/AlAs多層反射膜20の一部に達する迄エッチングする。この後、素子側面と素子周辺部に選択的にプロトン注入を行ない高抵抗領域22を形成する。最後に素子全体を覆うようにアノード電極31を形成し、n形多層反射膜20にカソード電極30を形成して完成する。

請求項（抜粋）：

面発光素子の少なくとも活性層を含む側面が熱伝導性が大きく、かつ高抵抗な領域から構成され、前記面発光素子の周辺部が高抵抗化されているとともに、前記面発光素子上部と、側面およびその周辺部が金属反射鏡で被覆されており、前記金属反射鏡が電極を兼ねていることを特徴とする面発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

面発光レ-ザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229124 出願人：日本電信電話株式会社
面発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-298052 出願人：日本電気株式会社
特開平2-128481

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