特許
J-GLOBAL ID：200903002793595288
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060700
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264646
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 基板リーク電流の増大がなくゲート・ドレイン間容量を低減させる。【構成】 半絶縁性GaAs基板1に形成されているn+ 型低抵抗層3の外側に第一層配線8が設置されている。この第一層配線8はn+ 型低抵抗層3に対して基板面の垂直方向に対して重なりが生じないようにして配設されている。さらに通常ではn+ 型低抵抗層3上とほぼ一致する程度の大きさを有しているドレイン電極5が外側方向に向かって延伸され、この延伸部の先端で第一配線層8と接触される構造となっている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にチャネル領域および前記チャネル領域に接続された前記チャネル領域よりも不純物濃度の高い半導体層が埋め込まれ、前記半導体層上に前記絶縁性基板上に延在する金属膜が形成され、前記金属膜の延在部に接続して配線が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 29/872
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/90 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/80 L
