特許
J-GLOBAL ID:200903002816944846

金属メッキ層付き単結晶Si基板と垂直磁気記録媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-110608
公開番号(公開出願番号):特開2005-293778
出願日: 2004年04月05日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 Si単結晶基板上に良好な密着性を有する1層以上の金属膜を成膜した単結晶Si基板を提供するもので、確実に密着性を確保できる構成を見出す。【解決手段】 体積抵抗率が1〜100Ω・cmである単結晶Si基板と、該単結晶Si基板上に設けられた1層以上の金属メッキ層とを含んでなる金属メッキ層付き単結晶Si基板を提供する。この単結晶Si基板の表面に接する金属メッキ層は、好ましくはメッキ法により形成されるAg、Co、Cu、Ni、Pd、Fe及びPtからなる一群から選ばれる。また、この金属メッキ層付き単結晶Si基板を含んでなる垂直磁気記録媒体を提供する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
体積抵抗率が1〜100Ω・cmである単結晶Si基板と、該単結晶Si基板上に設けられた1層以上の金属メッキ層とを含んでなる金属メッキ層付き単結晶Si基板。
IPC (3件):
G11B5/73 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738
FI (3件):
G11B5/73 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738
Fターム (8件):
5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006FA07
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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